MOSFET 1 canal Type N Double DiodesZetex 46.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMTH4008LPDW AEC-Q200,
- Code commande RS:
- 213-9246
- Référence fabricant:
- DMTH4008LPDW-13
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,58 € | 5,80 € |
| 50 - 90 | 0,568 € | 5,68 € |
| 100 - 240 | 0,506 € | 5,06 € |
| 250 - 990 | 0,499 € | 4,99 € |
| 1000 + | 0,407 € | 4,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 213-9246
- Référence fabricant:
- DMTH4008LPDW-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060 | |
| Série | DMTH4008LPDW | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0123Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 0.9V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 39.4W | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI5060 | ||
Série DMTH4008LPDW | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0123Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 0.9V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 39.4W | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5.15mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
La série DiodesZetex DMTH4008LPDW est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, maintenir des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
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