MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 46.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMTH4008LPDW AEC-Q200, AEC-Q100,

Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
213-9246
Référence fabricant:
DMTH4008LPDW-13
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

46.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

DMTH4008LPDW

Type de Boitier

PowerDI5060

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0123Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.8nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

39.4W

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Largeur

6.4mm

Longueur

5.15mm

Normes/homologations

J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202

Hauteur

1.1mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

La série DiodesZetex DMTH4008LPDW est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, maintenir des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.