MOSFET canal Type N DiodesZetex 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 Non

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Code commande RS:
246-7555
Référence fabricant:
DMT6011LPDW-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerDI5060-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.022Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

22.2nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.

La tension maximale drain-source est de 20 V et la tension maximale grille-source est de ±12 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente une faible tension de seuil de grille. Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.

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