MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI5060-8 44 A 60 V, 8 broches

DiodesZetex propose un MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier TO252. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.

La tension maximale drain-source est de 60 V et la tension maximale grille-source est de ±16 V. Il offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Il offre un flanc mouillable pour une inspection optique améliorée. Boîtier thermiquement efficace, idéal pour les applications à fonctionnement plus froid.