MOSFET 2 canal N Double DiodesZetex 44 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 Non
- Code commande RS:
- 246-6892
- Référence fabricant:
- DMT69M9LPDW-13
- Marque:
- DiodesZetex
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- Code commande RS:
- 246-6892
- Référence fabricant:
- DMT69M9LPDW-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 44A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0168Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 44A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerDI5060-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0168Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile Non | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier TO252. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.
La tension maximale drain-source est de 60 V et la tension maximale grille-source est de ±16 V. Il offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Il offre un flanc mouillable pour une inspection optique améliorée. Boîtier thermiquement efficace, idéal pour les applications à fonctionnement plus froid.
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