MOSFET 2 canal Type N Double DiodesZetex 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 Non

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Code commande RS:
246-6892
Référence fabricant:
DMT69M9LPDW-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PowerDI5060-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0168Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

33.5nC

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

RoHS

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

DiodesZetex propose un MOSFET à double canal N en mode d'enrichissement. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier TO252. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.

La tension maximale drain-source est de 60 V et la tension maximale grille-source est de ±16 V. Il offre une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Il offre un flanc mouillable pour une inspection optique améliorée. Boîtier thermiquement efficace, idéal pour les applications à fonctionnement plus froid.

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