MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI5060-8 40 A 60 V, 8 broches

DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.

La tension maximale drain-source est de 20 V et la tension maximale grille-source est de ±12 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente une faible tension de seuil de grille. Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques.