MOSFET canal N DiodesZetex 69.2 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7557
- Référence fabricant:
- DMT68M8LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,68 € | 6,80 € |
| 50 - 90 | 0,667 € | 6,67 € |
| 100 - 240 | 0,526 € | 5,26 € |
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- Code commande RS:
- 246-7557
- Référence fabricant:
- DMT68M8LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 69.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0108Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 69.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerDI5060-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0108Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.15mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. Il a une plage de température de travail de -55 °C à +150 °C.
La tension maximale entre le drain et la source est de 60 V et la tension maximale entre la grille et la source est de ±20 V. Il offre une faible résistance à l'état passant. Il présente une faible tension de seuil de grille Il offre une grille protégée contre les décharges électrostatiques
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