MOSFET canal N DiodesZetex 150 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-7550
- Référence fabricant:
- DMT32M5LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
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- Code commande RS:
- 246-7550
- Référence fabricant:
- DMT32M5LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.003mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerDI5060-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.003mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose une nouvelle génération de MOSFET à canal N en mode d'enrichissement. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. La taille du boîtier de moins de 1,1 mm le rend idéal pour les applications fines.
La tension maximale drain-source est de 30 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Ce boîtier thermiquement efficace est idéal pour les applications à fonctionnement plus froid. Il offre une faible capacitance d'entrée.
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