MOSFET canal N DiodesZetex 150 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101

DiodesZetex propose une nouvelle génération de MOSFET à canal N en mode d'enrichissement. Il a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'énergie à haut rendement. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. La taille du boîtier de moins de 1,1 mm le rend idéal pour les applications fines.

La tension maximale drain-source est de 30 V et la tension maximale grille-source est de ±20 V. Ce boîtier thermiquement efficace est idéal pour les applications à fonctionnement plus froid. Il offre une faible capacitance d'entrée.