MOSFET canal N DiodesZetex 170 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 246-6898
- Référence fabricant:
- DMTH32M5LPSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 400,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,56 € | 1 400,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 246-6898
- Référence fabricant:
- DMTH32M5LPSQ-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 170A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0032Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.73W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 170A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerDI5060-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0032Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.73W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
DiodesZetex propose un MOSFET à canal N en mode enrichissement, conçu pour répondre aux exigences strictes des applications automobiles. Il s'agit d'un dispositif écologique et, totalement exempt de plomb, d'halogène et d'antimoine. Ce MOSFET est livré dans un boîtier powerDI5060-8. Il offre une commutation rapide et un haut rendement. Il est classé jusqu'à +175 °C et est idéal pour les environnements à température ambiante élevée. Sa commutation inductive à 100% non bridée assure une application finale plus fiable et plus robuste. La taille du boîtier de moins de 1,1 mm le rend idéal pour les applications fines.
La tension maximale drain-source est de 30 V et la tension maximale grille-source est de ±16 V. Il offre une faible résistance à l'état passant et possède un indice BVDSS élevé pour les applications de puissance. Il offre une faible capacitance d'entrée.
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