MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 46.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMTH4008LPDW AEC-Q200, AEC-Q100,

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Code commande RS:
213-9244
Référence fabricant:
DMTH4008LPDW-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

46.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerDI5060

Série

DMTH4008LPDW

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0123Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.8nC

Dissipation de puissance maximum Pd

39.4W

Tension directe Vf

900mV

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.4mm

Longueur

5.15mm

Normes/homologations

J-STD-020, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, MIL-STD-202

Hauteur

1.1mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

La série DiodesZetex DMTH4008LPDW est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, maintenir des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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