MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Voir la catégorie
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Options de conditionnement :
Code commande RS:
206-0141
Référence fabricant:
DMT4001LPS-13
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerDI5060

Série

DMT4001

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

160nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.6W

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.15mm

Normes/homologations

No

Hauteur

900μm

Longueur

6.15mm

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET DiodesZetex 40 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,6 W.

Rendement de conversion élevé

Faible RDS(ON) - minimise les pertes d'état

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.