MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMT4001 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- Code commande RS:
- 206-0140
- Référence fabricant:
- DMT4001LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
- Code commande RS:
- 206-0140
- Référence fabricant:
- DMT4001LPS-13
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI5060 | |
| Série | DMT4001 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 160nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.6W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.15mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI5060 | ||
Série DMT4001 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 160nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.6W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.15mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Longueur 6.15mm | ||
Standard automobile AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET DiodesZetex 40 V, 8 broches à mode d'amélioration canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Sa tension de grille-source est de 20 V avec une dissipation thermique de 2,6 W.
Rendement de conversion élevé
Faible RDS(ON) - minimise les pertes d'état
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 100 A 40 V Enrichissement PowerDI5060 DMT4001 AEC-Q101 AEC-Q100
- MOSFET P DiodesZetex 150 A 20 V Enrichissement PowerDI5060 DMP AEC-Q100 AEC-Q200
- MOSFET P DiodesZetex 21 A 30 V Enrichissement PowerDI5060 DMP AEC-Q101 AEC-Q100
- MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 17.1 A 60 V Enrichissement PowerDI5060 DMT6015LPDW AEC-Q100
- MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 33 A 60 V Enrichissement PowerDI5060 DMNH6035 AEC-Q100
- MOSFET P DiodesZetex 10.7 A 12 V Enrichissement, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 95 A 60 V Enrichissement PowerDI5060 DMNH6009SPS AEC-Q101
- MOSFET canal N DiodesZetex 82 A 40 V Enrichissement PowerDI5060 DMT AEC-Q101