MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 6 A 100 V Enrichissement, 12 broches, VDFN DMHT10H032LFJ AEC-Q100, AEC-Q200,

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Code commande RS:
213-9146
Référence fabricant:
DMHT10H032LFJ-13
Marque:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

VDFN

Série

DMHT10H032LFJ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

12

Résistance Drain Source maximum Rds

0.033Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.3nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

64W

Tension directe Vf

800mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Longueur

5mm

Hauteur

800μm

Largeur

4.5mm

Normes/homologations

AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

La série DiodesZetex DMHT10H032LFJ est un transistor MOSFET à canal N dans une configuration de pont en H.

Rendement de conversion élevé

Vitesse de commutation élevée

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.