MOSFET canal N DiodesZetex 31.8 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333 DMT
- Code commande RS:
- 222-2876
- Référence fabricant:
- DMT6015LFVW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 222-2876
- Référence fabricant:
- DMT6015LFVW-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PowerDI3333 | |
| Série | DMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 28.4W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 3.3mm | |
| Largeur | 800μm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.05mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PowerDI3333 | ||
Série DMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 28.4W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 3.3mm | ||
Largeur 800μm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.05mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à l'état passant
Le boîtier à petit facteur de forme efficace thermiquement permet des produits d'extrémité à plus haute densité
Flanc mouillable pour une inspection optique améliorée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N DiodesZetex 31.8 A 60 V Enrichissement PowerDI3333 DMT
- MOSFET canal N DiodesZetex 80 A 60 V Enrichissement PowerDI3333 DMT
- MOSFET canal N DiodesZetex 60 A 60 V Enrichissement PowerDI3333 DMT AEC-Q101
- MOSFET canal N Double DiodesZetex 26.5 A 40 V Enrichissement PowerDI3333-8 DMT AEC-Q101
- MOSFET canal N Double DiodesZetex 21.2 A 40 V Enrichissement PowerDI3333-8 DMT AEC-Q101 AEC-Q200
- MOSFET canal N DiodesZetex 6.5 A 60 V Enrichissement UDFN DMT
- MOSFET canal N DiodesZetex 16.1 A 60 V Enrichissement VDFN DMT
- MOSFET canal N DiodesZetex 75 A 60 V Enrichissement TO-251 DMT