MOSFET 2 canal N Double ROHM 5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOP SP8K33 AEC-Q101

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Code commande RS:
222-4372
Référence fabricant:
SP8K33HZGTB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

SP8K33

Type de Boitier

SOP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

48mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Hauteur

1.75mm

Longueur

5mm

Largeur

6mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de classe automobile Rohm SP8K33HZG n, certifié EC-Q101. Deux MOSFET Nch 60 V sont inclus dans le boîtier SOP8. Diode de protection ESD intégrée. Idéal pour les applications de commutation

Faible résistance à l'état passant

Boîtier de montage en surface compact (SOP8)

Placage sans plomb ; Conforme à la directive RoHS

Sans halogène

SN100 % de placage

Certifié AEC-Q101

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