MOSFET 2 canal N Double ROHM 3 A 100 V Enrichissement, 8 broches, SOP SP8K52 AEC-Q101

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Code commande RS:
222-4376
Référence fabricant:
SP8K52HZGTB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

SP8K52

Type de Boitier

SOP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Longueur

5mm

Normes/homologations

No

Largeur

6mm

Hauteur

1.75mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de classe automobile Rohm SP8K52HZG n, certifié EC-Q101. Deux MOSFET Nch 100 V sont inclus dans le boîtier SOP8. Diode de protection ESD intégrée. Idéal pour les applications de commutation.

Faible résistance à l'état passant

Boîtier de montage en surface compact (SOP8)

Placage sans plomb ; Conforme à la directive RoHS

Certifié AEC-Q101

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