MOSFET 2 canal N Double ROHM 3 A 100 V Enrichissement, 8 broches, SOP SP8K52 AEC-Q101

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Code commande RS:
222-4375
Référence fabricant:
SP8K52HZGTB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOP

Série

SP8K52

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

17mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.5nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

1.75mm

Longueur

5mm

Largeur

6mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de classe automobile Rohm SP8K52HZG n, certifié EC-Q101. Deux MOSFET Nch 100 V sont inclus dans le boîtier SOP8. Diode de protection ESD intégrée. Idéal pour les applications de commutation.

Faible résistance à l'état passant

Boîtier de montage en surface compact (SOP8)

Placage sans plomb ; Conforme à la directive RoHS

Certifié AEC-Q101

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