MOSFET canal N Infineon 9 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4670
- Référence fabricant:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 222-4670
- Référence fabricant:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 51W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série CoolMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 51W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Largeur 6.22mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Homologation AEC Q101 avec Peak Reflow MSL1
OptiMOS TM - transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles
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