MOSFET Infineon canal N, TO-263-7 7,4 A 1700 V, 7 broches

Infineon CoolSiC TM 1 700 V, transistor MOSFET SiC 650 mΩ dans un boîtier à fuite élevée TO-263-7 est optimisé pour les topologies de retour à la volée à utiliser dans les alimentations auxiliaires connectées à des tensions de liaison c.c. 600 V jusqu'à 1 000 V dans de nombreuses applications de puissance.

Optimisé pour les topologies à vol libre
Très faible perte de commutation
Tension de source de grille de 12 V/0 V compatible avec les contrôleurs de retour
DV/dt entièrement contrôlable pour l'optimisation IEM
Boîtier CMS avec des distances de fuite et de dégagement améliorées > , 7 mm