MOSFET canal N Infineon 26 A 1.2 kV Enrichissement, 4 broches, TO-247 IMZ1
- Code commande RS:
- 222-4866
- Référence fabricant:
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 222-4866
- Référence fabricant:
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 26A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | IMZ1 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 26A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série IMZ1 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon CoolSiC 1200 V, 90 mΩ SiC dans un boîtier TO247-4 s'artiboîte sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour combiner les performances et la fiabilité. Par rapport aux commutateurs à base de silicium (Si) traditionnels tels que les IGBT et les MOSFET, le MOSFET SiC offre une série d'avantages.
Meilleures pertes de conduction et de commutation de classe
Tension de seuil de référence élevée, Vth > 4 V.
Tension de grille de mise hors tension de 0 V pour un entraînement de porte simple et facile
Large plage de tension de source de grille
Diode de corps robuste et à faible perte pour une commutation difficile
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