MOSFET P ROHM 200 mA 60 V P, 3 broches, DFN BSS84X HZG AEC-Q101

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Code commande RS:
223-6196
Référence fabricant:
BSS84XHZGG2CR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

200mA

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

DFN

Série

BSS84X HZG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

5.3Ω

Mode de canal

P

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

400μm

Largeur

1mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Longueur

1mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance Rohm est doté du type boîtier DFN3333-9DC. Il est principalement utilisé pour la commutation et l'entraînement de moteur.

Faible résistance à l'état passant

Petit boîtier de montage en surface

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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