MOSFET P ROHM 4 A 60 V P, 8 broches, DFN
- Code commande RS:
- 223-6290
- Référence fabricant:
- RF4L040ATTCR
- Marque:
- ROHM
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 223-6290
- Référence fabricant:
- RF4L040ATTCR
- Marque:
- ROHM
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 890mΩ | |
| Mode de canal | P | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier DFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 890mΩ | ||
Mode de canal P | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance Rohm est doté du type boîtier DFN2020-8S. Il est principalement utilisé pour la commutation et le commutateur de charge.
Faible résistance à l'état passant
Petit boîtier moulé haute puissance
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Sans halogène
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P ROHM 4 A 60 V P DFN
- MOSFET P ROHM 6 A 40 V P DFN
- MOSFET P ROHM 200 mA 60 V P DFN BSS84X HZG AEC-Q101
- MOSFET P ROHM 12 A 60 V Enrichissement DFN RF9 AEC-Q101
- MOSFET P ROHM 4.5 A 30 V P DFN RW4E045AT
- MOSFET P ROHM 11 A 60 V P SOP RS3L110AT
- MOSFET P ROHM 5 A 60 V P TSMT RQ7L050AT
- MOSFET 2 canal Type P Double ROHM 2.5 A 60 V Enrichissement DFN Non
