MOSFET P ROHM 4 A 60 V P, 8 broches, DFN

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Code commande RS:
223-6290
Référence fabricant:
RF4L040ATTCR
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

890mΩ

Mode de canal

P

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

17.3nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

-1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance Rohm est doté du type boîtier DFN2020-8S. Il est principalement utilisé pour la commutation et le commutateur de charge.

Faible résistance à l'état passant

Petit boîtier moulé haute puissance

Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Sans halogène

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