MOSFET canal N STMicroelectronics 6 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252
- Code commande RS:
- 225-0671
- Référence fabricant:
- STD9N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 690,00 €
HT
2 027,50 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,676 € | 1 690,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 225-0671
- Référence fabricant:
- STD9N60M6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 750mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 10nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 76W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 750mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 10nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 76W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La nouvelle technologie STMicroelectronics MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.
Pertes de commutation réduites
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible résistance d'entrée de grille
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
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