MOSFET N STMicroelectronics 6 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

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Code commande RS:
225-0671
Référence fabricant:
STD9N60M6
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

750mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Tension directe Vf

1.6V

Dissipation de puissance maximum Pd

76W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La nouvelle technologie STMicroelectronics MDmesh M6 intègre les progrès les plus récents dans la famille MDmesh bien connue et consolidée de MOSFET SJ. STMicroelectronics s'appuie sur la génération précédente de dispositifs MDmesh grâce à sa nouvelle technologie M6, qui combine une excellente amélioration RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles, ainsi qu'une expérience conviviale pour un rendement maximal de l'application finale.

Pertes de commutation réduites

RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente

Faible résistance d'entrée de grille

Testé à 100 % en avalanche

Protégé contre les Zener

584

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