MOSFET canal N Vishay 16.3 A 850 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 E
- Code commande RS:
- 228-2867
- Référence fabricant:
- SIHG21N80AEF-GE3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 228-2867
- Référence fabricant:
- SIHG21N80AEF-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16.3A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 850V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 179W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16.3A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 850V | ||
Série E | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 179W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance série E de Vishay réduit les pertes de commutation et de conduction.
Facteur de mérite (FOM) faible Ron x Qg
Faible capacité effective (Co(er))
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