MOSFET Vishay canal N, IPAK (TO-251) 3,2 A, 5 A. 850 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 200-6869
- Référence fabricant:
- SIHU6N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 25)
1,047 €
HT
1,256 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,047 € | 26,175 € |
| 50 - 100 | 0,796 € | 19,90 € |
| 125 - 225 | 0,733 € | 18,325 € |
| 250 - 600 | 0,576 € | 14,40 € |
| 625 + | 0,544 € | 13,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6869
- Référence fabricant:
- SIHU6N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le Vishay SIHU6N80AE-GE3 est un transistor MOSFET de puissance série E.
Faible valeur de mérite
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 3,2 A, 5 A. |
| Tension Drain Source maximum | 850 V |
| Type de boîtier | IPAK (TO-251) |
| Série | E |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 0,95 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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