MOSFET canal N Vishay 5 A 850 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 E
- Code commande RS:
- 200-6868
- Référence fabricant:
- SIHU6N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 698,00 €
HT
2 037,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,566 € | 1 698,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 200-6868
- Référence fabricant:
- SIHU6N80AE-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 850V | |
| Série | E | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 950mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 62.5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 850V | ||
Série E | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 950mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 62.5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le Vishay SIHU6N80AE-GE3 est un transistor MOSFET de puissance série E.
Faible valeur de mérite
Faible capacité effective (Ciss)
Pertes de conduction et de commutation réduites
Très faible charge de grille (QG)
Valeur nominale en énergie d'avalanche (ISU)
Protection ESD à diode Zener intégrée
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