MOSFET canal N onsemi 16 A 650 V N, 3 broches, TO-220 SUPERFET III
- Code commande RS:
- 229-6496
- Référence fabricant:
- NTPF190N65S3H
- Marque:
- onsemi
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2 076,00 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,076 € | 2 076,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-6496
- Référence fabricant:
- NTPF190N65S3H
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | SUPERFET III | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 190mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 32W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.63mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Hauteur | 29.95mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série SUPERFET III | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 190mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 32W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.63mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 4.9mm | ||
Hauteur 29.95mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor SUPER FET est un tout nouveau transistor MOSFET à super jonction haute tension qui utilise la technologie d'équilibrage de charge pour une excellente résistance à l'état passant et des performances de charge de grille plus faibles. Cette technologie Advanced est adaptée pour minimiser la perte de conduction, fournit des performances de commutation supérieures et résiste à une vitesse dv/dt extrême.
Faible capacité de sortie effective
Testé à 100 % en avalanche
Plus grande fiabilité du système à une basse température d'utilisation
Sans plomb
Conforme à la directive RoHS
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