MOSFET onsemi canal N, A-247 33 A 600 V, 3 broches

Le transistor MOSFET SUPERFET V de la série on Semiconductor est la famille de transistors MOSFET à super jonction (SJ) haute tension de cinquième génération d'on Semiconductor. SuperFET V fournit les meilleures Fom de classe (RDS(ON)·QG et RDS(ON)·EOSS) pour améliorer non seulement la charge lourde mais également le rendement de charge léger. La série SUPERET V 600 V fournit des avantages de conception grâce à une réduction de la conduction et des pertes de commutation, tout en prenant en charge des valeurs nominales de MOSFET/dt extrêmes à 120 V/ns et des valeurs nominales de diodes à corps élevé/dt à 50 V/ns. Par conséquent, la série SUPERFET V MOSFET Easy Drive combine d'excellentes performances de commutation sans sacrifier la facilité d'utilisation pour les topologies de commutation dures et souples. Il permet de gérer les problèmes d'IEM et facilite la mise en œuvre de la conception avec une excellente efficacité du système.

Très faible charge de grille (typ. QG = 48 nC)
Faible perte de commutation
Faible capacité de sortie liée au temps (typ. COSS(tr.) = 642 pF)
Faible perte de commutation
Capacité optimisée
Vds de crête plus faible et oscillation Vgs plus basse
650 V @ TJ = 150 °C.
Typ. RDS(on) = 79,2 m Ω
Testé à 100 % en avalanche
Conforme à la directive RoHS
Résistance de porte interne : 6,9 Ω