MOSFET Infineon canal N, PG HDSOP-16 (TOLT) 279 A 100 V, 16 broches

Infineon IPTC019N10NM5 fait partie du transistor MOSFET de puissance OptiMOS 5 dans le tolT dans ce boîtier de refroidissement latéral Top à sortie TO pour des performances thermiques supérieures. Ce boîtier innovant, combiné avec les caractéristiques clés de la technologie OptiMOS 5, permet des produits haut de gamme en 100 V ainsi qu'une haute intensité nominale de 300 A pour les conceptions haute densité de puissance. Avec la configuration de refroidissement Top Side, le drain est exposé à la surface du boîtier et 95 % de la dissipation thermique peut être directement amélioré vers le dissipateur thermique, atteignant 20 % de RthJA et 50 % de RthJC amélioré par rapport au boîtier TOLL. Avec des boîtiers de refroidissement inférieurs tels que TOLL ou D2PAK, la chaleur est dissipée via le circuit imprimé vers le dissipateur thermique, ce qui entraîne de hautes pertes de puissance.

Stand-off négatif
Economise dans le système de refroidissement
Efficacité du système accrue permettant une autonomie prolongée de la batterie