MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 288 A 60 V, 8 broches

Le transistor MOSFET Infineon dans le boîtier SuperSO8 étend la gamme de produits OptiMOS 5 et 3 et permet une plus grande densité de puissance en plus d'une meilleure robustesse, répondant au besoin de réduire le coût du système et d'augmenter les performances. Il est doté d'une faible charge de récupération inverse (QRR) qui améliore la fiabilité du système en fournissant une réduction significative du dépassement de tension, ce qui minimise le besoin de circuits de snubbers, ce qui réduit les coûts et les efforts d'ingénierie.

Température d'utilisation plus élevée à 175 °C.
Performance thermique supérieure