MOSFET canal N Renesas Electronics 25 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

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Code commande RS:
234-7155
Référence fabricant:
RJK0651DPB-00#J5
Marque:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

14mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance simple à canal N de Renesas Electronics est adapté aux applications de commutation et de commutation de charge. Il est doté d'une tension de rupture élevée de 60 V. Il est capable d'entraîner une grille de 4,5 V.

Commutation haute vitesse

Faible courant d'entraînement

Montage haute densité

Faible résistance à l'état passant

Sans plomb

Sans halogène

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