MOSFET N Renesas Electronics 25 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

6,80 €

HT

8,15 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 710 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 451,36 €6,80 €
50 - 951,162 €5,81 €
100 - 2450,998 €4,99 €
250 - 9950,974 €4,87 €
1000 +0,864 €4,32 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
234-7155
Référence fabricant:
RJK0651DPB-00#J5
Marque:
Renesas Electronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Renesas Electronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

SOT-669

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

14mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

15nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance simple à canal N de Renesas Electronics est adapté aux applications de commutation et de commutation de charge. Il est doté d'une tension de rupture élevée de 60 V. Il est capable d'entraîner une grille de 4,5 V.

Commutation haute vitesse

Faible courant d'entraînement

Montage haute densité

Faible résistance à l'état passant

Sans plomb

Sans halogène

Nos clients ont également consulté