MOSFET canal N Renesas Electronics 25 A 60 V Enrichissement, 4 broches, SOT-669
- Code commande RS:
- 234-7154
- Référence fabricant:
- RJK0651DPB-00#J5
- Marque:
- Renesas Electronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 837,50 €
HT
2 205,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 04 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,735 € | 1 837,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 234-7154
- Référence fabricant:
- RJK0651DPB-00#J5
- Marque:
- Renesas Electronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-669 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 14mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 45W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-669 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 14mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 45W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance simple à canal N de Renesas Electronics est adapté aux applications de commutation et de commutation de charge. Il est doté d'une tension de rupture élevée de 60 V. Il est capable d'entraîner une grille de 4,5 V.
Commutation haute vitesse
Faible courant d'entraînement
Montage haute densité
Faible résistance à l'état passant
Sans plomb
Sans halogène
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Renesas Electronics 25 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Renesas Electronics 40 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 89 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 82 A 80 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 40 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 25 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 59 A 60 V Enrichissement SOT-669
- MOSFET canal N Nexperia 44 A 30 V Enrichissement SOT-669