MOSFET canal N ROHM 9 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-252

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Code commande RS:
235-2689
Référence fabricant:
R6509END3TL1
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

585mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

94W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

24nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

6.4mm

Normes/homologations

No

Largeur

2.4mm

Hauteur

10.4mm

Standard automobile

Non

La série Rohm R6xxxENx est un produit à faible bruit, un transistor MOSFET à jonction super, qui met l'accent sur la facilité d'utilisation. Les produits de cette série offrent des performances supérieures pour les applications sensibles au bruit afin de réduire le bruit, telles que l'équipement audio et d'éclairage.

Faible résistance à l'état passant

Vitesse de commutation élevée

Une utilisation en parallèle est facile

Placage compatible sans plomb

Conforme à la directive RoHS

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