MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-5544
- Référence fabricant:
- STP80N240K6
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 239-5544
- Référence fabricant:
- STP80N240K6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | STP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série STP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 28.9mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N très haute tension STMicroelectronics est conçu à l'aide de la technologie MDmesh K6 ultime basée sur une expérience STMicroelectronics de 20 ans sur la technologie de super jonction. Le résultat est la meilleure résistance par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement. Ce transistor MOSFET est recommandé pour les applications basées sur la topologie Flyback, telles que l'éclairage à LED, les chargeurs et les adaptateurs. Fournit une plus grande densité de puissance réduisant le coût et la taille de la carte.
Meilleure zone RDS(on) x dans le monde entier
Meilleur FOM (valeur de mérite) dans le monde entier
Très faible charge de grille
Testé à 100 % en avalanche
Protégé contre les Zener
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