MOSFET canal N Vishay 410 A 30 V Épuisement, 4 broches, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-8671
- Référence fabricant:
- SQJ186EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
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| 500 - 990 | 0,736 € | 7,36 € |
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- Code commande RS:
- 239-8671
- Référence fabricant:
- SQJ186EP-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 410A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PowerPAK SO-8L | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.02Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 43nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 255W | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.15mm | |
| Largeur | 4.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 410A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PowerPAK SO-8L | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.02Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 43nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 255W | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.15mm | ||
Largeur 4.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET SIDR de Vishay est un transistor MOSFET à canal N automobile qui fonctionne à des températures de 80 V et 175 °C. Ce MOSFET est utilisé pour une haute densité de puissance.
Qualifié AEC-Q101
Testé UIS
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