MOSFET P Vishay 445 A 30 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET Gen IV AEC-Q101

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

4 032,00 €

HT

4 839,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Stock limité
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,344 €4 032,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
239-8677
Référence fabricant:
SQJQ130EL-T1_GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

445A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

TrenchFET Gen IV

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00052Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43nC

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

255W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

6.15mm

Hauteur

1.6mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Largeur

4.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET SQJQ de Vishay est un transistor MOSFET à canal P automobile qui fonctionne à des températures de 30 V et 175 °C. Ce MOSFET est utilisé pour une haute densité de puissance.

Boîtier mince

certifié AEC-Q101

Testé UIS

à faible résistance

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.