MOSFET P Vishay 445 A 30 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET Gen IV AEC-Q101

Voir la catégorie

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

4 032,00 €

HT

4 839,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Stock limité
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,344 €4 032,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
239-8677
Référence fabricant:
SQJQ130EL-T1_GE3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

445A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

TrenchFET Gen IV

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.00052Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

255W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

43nC

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Longueur

6.15mm

Hauteur

1.6mm

Largeur

4.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET SQJQ de Vishay est un transistor MOSFET à canal P automobile qui fonctionne à des températures de 30 V et 175 °C. Ce MOSFET est utilisé pour une haute densité de puissance.

Boîtier mince

certifié AEC-Q101

Testé UIS

à faible résistance

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.