MOSFET P Vishay -175 A -80 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
735-252
Référence fabricant:
SQJQ181EL-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Canal P

Courant continu de Drain maximum Id

-175A

Tension Drain Source maximum Vds

-80V

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.012Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

153nC

Dissipation de puissance maximum Pd

348W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

7.9mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Longueur

8mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

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