MOSFET canal N Vishay 155 A 100 V Enrichissement, 4 broches, PowerPAK (8x8L) TrenchFET AEC-Q101

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Code commande RS:
735-271
Référence fabricant:
SQJQ118E-T1_GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

155A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

TrenchFET

Type de Boitier

PowerPAK (8x8L)

Type de montage

En surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0098Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

122nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

8mm

Normes/homologations

RoHS Compliant

Hauteur

1.9mm

Largeur

7.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

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