MOSFET canal N Vishay 214 A 40 V Épuisement, 8 broches, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Code commande RS:
- 239-8682
- Référence fabricant:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 185,00 €
HT
1 422,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,395 € | 1 185,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 239-8682
- Référence fabricant:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 214A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.000253Ω | |
| Mode de canal | Épuisement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 38nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 197W | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.3mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 214A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerPAK 1212-8SLW | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.000253Ω | ||
Mode de canal Épuisement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 38nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 197W | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.3mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le TrenchFET® de Vishay est un transistor MOSFET à canal N de puissance Gen IV qui fonctionne à des températures de 40 V et 175 °C. Ce MOSFET est utilisé pour une haute densité de puissance.
Testé UIS
certifié AEC-Q101
à faible résistance
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