MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 30 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 STW AEC-Q101
- Code commande RS:
- 240-0613
- Référence fabricant:
- STWA32N65DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 30 unités)*
132,15 €
HT
158,58 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 60 unité(s) expédiée(s) à partir du 14 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 4,405 € | 132,15 € |
| 150 + | 4,252 € | 127,56 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 240-0613
- Référence fabricant:
- STWA32N65DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | STW | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 320W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Longueur | 40.92mm | |
| Largeur | 15.8mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série STW | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 320W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Longueur 40.92mm | ||
Largeur 15.8mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Certifiée AEC-Q101.
Diode
de corps à récupération rapide. RDS(on) x surface inférieure par rapport à la génération précédente.
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
testées
à 100 % d'avalanche. Robustesse dv/dt extrêmement
protégée par Zener
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N STMicroelectronics 55 A 30 V Enrichissement TO-247 STW AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 92 A Enrichissement TO-247 STW
- MOSFET N STMicroelectronics 56 A Enrichissement TO-247 STW
- MOSFET N STMicroelectronics 92 A Enrichissement TO-247-4 STW
- canal Type N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement Hip-247 SiC MOSFET AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement HIP-247-3 SCT AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 69 A 710 V Enrichissement TO-247 MDmesh M5 AEC-Q101
- MOSFET N STMicroelectronics 72 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM6 AEC-Q101