MOSFET N STMicroelectronics 56 A Enrichissement, 3 broches, TO-247 STW

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275-1384
Référence fabricant:
STWA60N043DM9
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

56A

Série

STW

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

43mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

312W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

78.6nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

±30 V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N de STMicroelectronics est basé sur la technologie MDmesh DM9 de superconnexion la plus innovante, adaptée aux transistor MOSFET de moyenne ou haute tension avec un RDS(on) très faible par zone couplé à une diode de récupération rapide. La technologie DM9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à drain multiple qui permet une structure de dispositif améliorée.

Diode de corps de récupération rapide

Meilleur RDS au monde par zone parmi les dispositifs de récupération rapide à base de silicium

Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance

Testé à 100 % contre les avalanches

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