MOSFET canal N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
- Code commande RS:
- 248-9686
- Référence fabricant:
- STP60N043DM9
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 6,932 € | 346,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-9686
- Référence fabricant:
- STP60N043DM9
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | STP | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 45mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 245W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | UL | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série STP | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 45mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 245W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.4mm | ||
Normes/homologations UL | ||
Longueur 28.9mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le produit de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance à canal N basé sur la technologie la plus innovante de super jonction MDmesh DM9, adapté pour les transistors MOSFET à moyenne ou haute tension avec un très faible RDS par zone couplé avec une diode de récupération rapide. La technologie DM9 à base de silicium bénéficie d'un processus de fabrication à plusieurs drains qui permet d'améliorer la structure du dispositif. La diode de récupération rapide, qui présente une charge, un temps de récupération et un RDS activé très faibles, fait de ce MOSFET de puissance à super jonction et à commutation rapide un produit adapté aux topologies de pont à haut rendement et aux convertisseurs à déphasage ZVS les plus exigeants.
Diode de corps à récupération rapide
Meilleur RDS par zone au monde parmi les dispositifs à récupération rapide à base de silicium
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testée à 100 % en avalanche
Robustesse extrême en dv/dt
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