MOSFET canal N STMicroelectronics 72 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM6 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 225-0679
- Référence fabricant:
- STWA68N65DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 225-0679
- Référence fabricant:
- STWA68N65DM6AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 72A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | MDmesh DM6 | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 39mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 480W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 118nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 15.8mm | |
| Longueur | 40.92mm | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 72A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série MDmesh DM6 | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 39mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 480W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 118nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 15.8mm | ||
Longueur 40.92mm | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération rapide MDmesh précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (QRR), un temps de récupération (TRR) et une excellente amélioration du RDS(on) par zone avec l'un des comportements de commutation les plus efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Diode de corps à récupération rapide
RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente
Faible charge de grille, capacité d'entrée et résistance
Testé à 100 % en avalanche
Robustesse dv/dt extrêmement élevée
Protégé contre les Zener
629
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 72 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh DM6 AEC-Q101
- MOSFET canal N STMicroelectronics 53 A 650 V Enrichissement ACEPACK SMIT MDmesh DM6 AEC
- MOSFET canal N STMicroelectronics 33 A 650 V Enrichissement TO-247 DM6
- MOSFET canal N STMicroelectronics 69 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh M5
- MOSFET canal N STMicroelectronics 18 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh M2
- MOSFET canal N STMicroelectronics 33 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh M5
- MOSFET canal N STMicroelectronics 54 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh M9
- MOSFET canal N STMicroelectronics 22 A 650 V Enrichissement TO-247 MDmesh M2