MOSFET canal N Nexperia 7.9 A 30 V Enrichissement, 8 broches, MLPAK33
- Code commande RS:
- 240-1983
- Référence fabricant:
- PXN017-30QLJ
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
14,45 €
HT
17,35 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 675 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,578 € | 14,45 € |
| 50 - 75 | 0,567 € | 14,18 € |
| 100 - 225 | 0,432 € | 10,80 € |
| 250 - 975 | 0,422 € | 10,55 € |
| 1000 + | 0,264 € | 6,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 240-1983
- Référence fabricant:
- PXN017-30QLJ
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | MLPAK33 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 12.5W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier MLPAK33 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 12.5W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor à effet de champ (FET) Nexperia à mode d'enrichissement canal N dans un boîtier en plastique à montage en surface (CMS) MLPAK33 (SOT8002) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.
Niveau logique compatible
Technologie MOSFET à tranchée
Très faible QG et QGD pour un haut rendement du système, en particulier à des fréquences de commutation plus élevées
Commutation Superfast avec récupération souple
Faible piquage et sonnerie pour les conceptions à faible IEM
Boîtier MLPAK33 (encombrement 3,3 x 3,3 mm)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 7.9 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET canal N Nexperia 11.4 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET canal N Nexperia 7.5 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET canal N Nexperia 14 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET canal N Nexperia 10.3 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET canal N Nexperia 15 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET canal N Nexperia 12.7 A 30 V Enrichissement MLPAK33
- MOSFET P Nexperia 10.3 A 30 V Enrichissement MLPAK33