MOSFET canal N Nexperia 7.5 A 30 V Enrichissement, 8 broches, MLPAK33

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
240-1985
Référence fabricant:
PXN018-30QLJ
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

7.5A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

MLPAK33

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

13.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

12.5W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor à effet de champ (FET) Nexperia à mode d'enrichissement canal N dans un boîtier en plastique à montage en surface (CMS) MLPAK33 (SOT8002) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Niveau logique compatible

Technologie MOSFET à tranchée

Boîtier MLPAK33 (encombrement 3,3 x 3,3 mm)

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