MOSFET Infineon canal N, PQFN 2 x 2 55 A 25 V, 6 broches

Le MOSFET de puissance Infineon OptiMOS™ 5 25 V, 2,4 mΩ, le plus petit facteur de forme en boîtier PQFN 2 x 2. Avec la nouvelle famille de produits BIC OptiMOS™ 5 en 25 V et 30 V, Infineon propose la meilleure solution de sa catégorie en matière d'efficacité dans un petit facteur de forme, ce qui en fait la solution parfaite pour des applications telles que la charge sans fil, les commutateurs de charge et les applications c.c.-c.c. à faible puissance. Le petit boîtier PQFN 2 x 2 de 4 mm² d'empreinte, associé à des performances électriques exceptionnelles, contribue à l'amélioration du facteur de forme dans les applications finales, avec un faible RDSon de 2,4 mΩ.

Résistance thermique supérieure pour un boîtier PQFN 2 x 2
Optimisé pour des performances et une densité de puissance maximales
Le plus faible RDSon de l'industrie dans le plus petit boîtier PQFN 2 x 2
Canal N
Testé à 100 % contre l'avalanche
Placage plombé sans plomb