MOSFET N Microchip 140 A 12 V, 4 broches, TO-247 MSC040SMA120B4
- Code commande RS:
- 241-9262
- Référence fabricant:
- MSC040SMA120B4
- Marque:
- Microchip
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 14,508 € | 435,24 € |
| 120 + | 13,333 € | 399,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 241-9262
- Référence fabricant:
- MSC040SMA120B4
- Marque:
- Microchip
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Microchip | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 140A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | MSC040SMA120B4 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8Ω | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.6W | |
| Tension directe Vf | 1.8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 137nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Microchip | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 140A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série MSC040SMA120B4 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8Ω | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.6W | ||
Tension directe Vf 1.8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 137nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La gamme de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium Microchip de Micro semi augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET et IGBT de silicium, tout en réduisant le coût total de possession pour les applications haute tension.
Faibles capacités et faible charge de grille
Vitesse de commutation rapide grâce à la faible résistance interne de grille
Fonctionnement stable à haute température de jonction TJ(max) égale à 175 °C
Diode de corps rapide et fiable
Résistance avalanche supérieure
Conforme à la directive RoHS
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