MOSFET Microchip canal N, TO-247 46 A 1 200 V

La gamme de produits MOSFET de puissance en carbure de silicium Microchip de Micro semi augmente les performances par rapport aux solutions MOSFET et IGBT de silicium, tout en réduisant le coût total de possession pour les applications haute tension.

Faibles capacités et faible charge de grille
Vitesse de commutation rapide grâce à la faible résistance interne de grille
Fonctionnement stable à haute température de jonction TJ(max) égale à 175 °C
Diode de corps rapide et fiable
Résistance avalanche supérieure
Conforme à la directive RoHS