MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 130 A 30 V, 8 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N OptiMOSTM 5 d'Infineon est doté d'une tension de source de drain (VDS) de 30 V et d'un courant de drain (ID) de 130 A. Il offre des solutions de référence en permettant la plus haute densité de puissance et le rendement énergétique, en veille et en fonctionnement complet. Il est doté d'une meilleure résistance à l'état passant de sa catégorie et d'une utilisation plus large dans les bureaux et les serveurs, les régulateurs de tension haute densité de puissance, etc.

Optimisé pour les convertisseurs buck haute performance
Diode monolithique intégrée de type schottky
Très faible résistance à l'état passant RDS(on)@VGS = 4,5 V
Testé à 100 % en avalanche
Canal N
Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
Placage de câble sans plomb
Conformité à la directive RoHS
Sans halogène selon la norme CEI 61249-2-21