Transistor MOSFET Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 101 A 60 V, 8 broches

Le transistor MOSFET de puissance à canal N OptiMOSTM 5 d'Infineon est doté d'une tension de source de drain (VDS) de 60 V et d'un courant de drain (ID) de 101 A. Son niveau logique est extrêmement adapté pour le chargement sans fil, l'adaptateur et les applications de télécommunications. La faible charge de grille des dispositifs (Q g) réduit les pertes de commutation sans compromettre les pertes de conduction. Les chiffres de mérite améliorés permettent le fonctionnement à des fréquences de commutation élevées. En outre, le variateur de niveau logique fournit une faible tension de seuil de grille (V GS(th)) permettant aux MOSFET d'être pilotés à 5 V et directement à partir de microcontrôleurs.

Optimisé pour les SMPS de haute performance, par ex. sync. rec.
Testé à 100 % en avalanche
Résistance thermique supérieure
Canal N
Qualifié selon JEDEC1) pour les applications cibles
Placage de câble sans plomb
Conformité à la directive RoHS
Sans halogène selon la norme CEI 61249-2-21